RQJ0303PGDQA#H6
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| Numero parte | RQJ0303PGDQA#H6 |
| PNEDA Part # | RQJ0303PGDQA-H6 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.856 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQJ0303PGDQA#H6 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQJ0303PGDQA#H6 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RQJ0303PGDQA#H6, RQJ0303PGDQA#H6 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 167,17 KB)
  
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RQJ0303PGDQA#H6 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +10V, -20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-MPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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