RQ7E110AJTCR
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| Numero parte | RQ7E110AJTCR |
| PNEDA Part # | RQ7E110AJTCR |
| Descrizione | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.968 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ7E110AJTCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ7E110AJTCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ7E110AJTCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 4.5A, 11V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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