RN1110MFV,L3F
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| Numero parte | RN1110MFV,L3F |
| PNEDA Part # | RN1110MFV-L3F |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.358 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | ott 1 - ott 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1110MFV Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1110MFV,L3F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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RN1110MFV Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
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