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RN 1ZV1

RN 1ZV1

Solo per riferimento

Numero parte RN 1ZV1
PNEDA Part # RN-1ZV1
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.572
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 3 - feb 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RN 1ZV1 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN 1ZV1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RN 1ZV1, RN 1ZV1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 285,62 KB)
PDFRN 1Z Datasheet Copertura
RN 1Z Datasheet Pagina 2 RN 1Z Datasheet Pagina 3 RN 1Z Datasheet Pagina 4 RN 1Z Datasheet Pagina 5

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RN 1ZV1 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 1.5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr20µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CMS17(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

480mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

90pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

M-FLAT (2.4x3.8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

JAN1N5814

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA (DO-4)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

S2K

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N4007GPHE3/73

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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