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RM25C64DS-LTAI-B

RM25C64DS-LTAI-B

Solo per riferimento

Numero parte RM25C64DS-LTAI-B
PNEDA Part # RM25C64DS-LTAI-B
Descrizione IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.606
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C64DS-LTAI-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C64DS-LTAI-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C64DS-LTAI-B, RM25C64DS-LTAI-B Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 1.929,13 KB)
PDFRM25C64DS-LMAI-T Datasheet Copertura
RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 2 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 3 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 4 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 5 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 6 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 7 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 8 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 9 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 10 RM25C64DS-LMAI-T Datasheet Pagina 11

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RM25C64DS-LTAI-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria64kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 2.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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MT29F128G08AMCABK3-10:A

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR6

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.25GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.21V ~ 1.29V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

180-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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MT29F32G08AECCBH1-10:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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