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RM25C512C-LMAI-T

RM25C512C-LMAI-T

Solo per riferimento

Numero parte RM25C512C-LMAI-T
PNEDA Part # RM25C512C-LMAI-T
Descrizione IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C512C-LMAI-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C512C-LMAI-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C512C-LMAI-T, RM25C512C-LMAI-T Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.345,81 KB)
PDFRM25C512C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C512C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C512C-LMAI-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria512kb (128B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Macronix

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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