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RM25C256C-LSNI-B

RM25C256C-LSNI-B

Solo per riferimento

Numero parte RM25C256C-LSNI-B
PNEDA Part # RM25C256C-LSNI-B
Descrizione IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C256C-LSNI-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C256C-LSNI-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C256C-LSNI-B, RM25C256C-LSNI-B Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.314,02 KB)
PDFRM25C256C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C256C-LSNI-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria256kb (64B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LQFP (14x20)

S34ML01G100BHV003

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS62WV102416BLL-25MI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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