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RM24C32C-LCSI-T

RM24C32C-LCSI-T

Solo per riferimento

Numero parte RM24C32C-LCSI-T
PNEDA Part # RM24C32C-LCSI-T
Descrizione IC CBRAM 32K I2C 1MHZ 6WLCSP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM24C32C-LCSI-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM24C32C-LCSI-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM24C32C-LCSI-T, RM24C32C-LCSI-T Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 1.236,62 KB)
PDFRM24C32C-LCSI-T Datasheet Copertura
RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 2 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 3 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 4 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 5 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 6 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 7 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 8 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 9 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 10 RM24C32C-LCSI-T Datasheet Pagina 11

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RM24C32C-LCSI-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria32kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 1.2ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore6-WLCSP

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

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Tensione - Alimentazione

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Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-QFP

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PQFP (10x10)

M95256-WDW6TP

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

288Kb (32K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

9ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

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