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RM 1BV

RM 1BV

Solo per riferimento

Numero parte RM 1BV
PNEDA Part # RM-1BV
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 800MA AXIAL
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM 1BV Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM 1BV
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RM 1BV, RM 1BV Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 187,73 KB)
PDFRM 1B Datasheet Copertura
RM 1B Datasheet Pagina 2 RM 1B Datasheet Pagina 3 RM 1B Datasheet Pagina 4

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RM 1BV Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)800mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitoreAxial
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBRH20030RL

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CSFM104-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123T

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini SMA/SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

ZHCS1006TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

900mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 750mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

12ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 25V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

MBR0540T3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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