RJK4002DPP-M0#T2
Solo per riferimento
| Numero parte | RJK4002DPP-M0#T2 |
| PNEDA Part # | RJK4002DPP-M0-T2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 400V 3A TO220 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.246 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RJK4002DPP-M0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | RJK4002DPP-M0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RJK4002DPP-M0#T2, RJK4002DPP-M0#T2 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 92,03 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- RJK4002DPP-M0#T2 Datasheet
- where to find RJK4002DPP-M0#T2
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America RJK4002DPP-M0#T2
- RJK4002DPP-M0#T2 PDF Datasheet
- RJK4002DPP-M0#T2 Stock
- RJK4002DPP-M0#T2 Pinout
- Datasheet RJK4002DPP-M0#T2
- RJK4002DPP-M0#T2 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- RJK4002DPP-M0#T2 Price
- RJK4002DPP-M0#T2 Distributor
RJK4002DPP-M0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FL |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 155mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-75A Pacchetto / Custodia SC-75A |
Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Die Pacchetto / Custodia Die |
