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RJK2076DPA-00#J5A

RJK2076DPA-00#J5A

Solo per riferimento

Numero parte RJK2076DPA-00#J5A
PNEDA Part # RJK2076DPA-00-J5A
Descrizione MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.150
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJK2076DPA-00#J5A Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJK2076DPA-00#J5A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
RJK2076DPA-00#J5A, RJK2076DPA-00#J5A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 90,14 KB)
PDFRJK2076DPA-00#J5A Datasheet Copertura
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RJK2076DPA-00#J5A Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)65W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreWPAK(3F) (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

160W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

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FQP14N15

ON Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10990pF @ 40V

Funzione FET

-

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4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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-

Dissipazione di potenza (max)

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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