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RJH60M3DPE-00#J3

RJH60M3DPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJH60M3DPE-00#J3
PNEDA Part # RJH60M3DPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 35A 113W LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60M3DPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60M3DPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60M3DPE-00#J3, RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 94,27 KB)
PDFRJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Copertura
RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 2 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 3 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 4 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 5 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 6 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 7 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 8 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 9 RJH60M3DPE-00#J3 Datasheet Pagina 10

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RJH60M3DPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 17A
Potenza - Max113W
Switching Energy290µJ (on), 290µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge60nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C38ns/90ns
Condizione di test300V, 17A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

112nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

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-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

90µJ (on), 90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8ns/105ns

Condizione di test

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

NGTB30N60SWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

189W

Switching Energy

750µJ (on), 540µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

57ns/109ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

88nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/190ns

Condizione di test

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-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

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