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RJH60F6DPK-00#T0

RJH60F6DPK-00#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60F6DPK-00#T0
PNEDA Part # RJH60F6DPK-00-T0
Descrizione IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
Produttore Renesas Electronics America
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Disponibile 2.772
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60F6DPK-00#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60F6DPK-00#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60F6DPK-00#T0, RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 86,76 KB)
PDFRJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Copertura
RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 2 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 3 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 4 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 5 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 6 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 7 RJH60F6DPK-00#T0 Datasheet Pagina 8

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RJH60F6DPK-00#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)85A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 45A
Potenza - Max297.6W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C58ns/131ns
Condizione di test400V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)140ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.61mJ (on), 840µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

63ns/150ns

Condizione di test

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 4V, 200A

Potenza - Max

1W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

3.1µs/2µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

550µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/190ns

Condizione di test

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

Potenza - Max

63.5W

Switching Energy

330µJ (on), 760µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

72nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/120ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Switching Energy

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Gate Charge

15.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

133ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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