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RJH60F4DPQ-A0#T0

RJH60F4DPQ-A0#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60F4DPQ-A0#T0
PNEDA Part # RJH60F4DPQ-A0-T0
Descrizione IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60F4DPQ-A0#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60F4DPQ-A0#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60F4DPQ-A0#T0, RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 82,17 KB)
PDFRJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Copertura
RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 2 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 3 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 4 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 5 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 6 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 7 RJH60F4DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 8

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  • RJH60F4DPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F4DPQ-A0#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 30A
Potenza - Max235.8W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C45ns/85ns
Condizione di test400V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247A

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Potenza - Max

62.5W

Switching Energy

20µJ (on), 68µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/76ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)

NGTG50N60FLWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

310nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

116ns/292ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

260A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 82A

Potenza - Max

1250W

Switching Energy

5.5mJ (on), 12.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

340nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

34ns/265ns

Condizione di test

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/96ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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