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RGTV00TK65DGC11

RGTV00TK65DGC11

Solo per riferimento

Numero parte RGTV00TK65DGC11
PNEDA Part # RGTV00TK65DGC11
Descrizione 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGTV00TK65DGC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGTV00TK65DGC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGTV00TK65DGC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Potenza - Max94W
Switching Energy1.17mJ (on), 940µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge104nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C41ns/142ns
Condizione di test400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)102ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3PFM, SC-93-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PFM

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Potenza - Max

42W

Switching Energy

143µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14ns/164ns

Condizione di test

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

NGTB30N120IHSWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

192W

Switching Energy

1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/210ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

APT100GT60B2RG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

148A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

460nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/320ns

Condizione di test

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FGB20N60SFD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

208W

Switching Energy

370µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/90ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Potenza - Max

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Switching Energy

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

77nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/60ns

Condizione di test

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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