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RGTH80TS65GC11

RGTH80TS65GC11

Solo per riferimento

Numero parte RGTH80TS65GC11
PNEDA Part # RGTH80TS65GC11
Descrizione 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGTH80TS65GC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGTH80TS65GC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGTH80TS65GC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Potenza - Max234W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge79nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C34ns/120ns
Condizione di test400V, 40A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247N

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FGH30N120FTDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

339W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

208nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

730ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

SGH30N60RUFDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

48A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 30A

Potenza - Max

235W

Switching Energy

919µJ (on), 814µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

85nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/54ns

Condizione di test

300V, 30A, 7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

95ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

NGTB50N120FL2WAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Potenza - Max

536W

Switching Energy

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

313nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

281ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

NGB8206NT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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-

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-/5µs

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-

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