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RGTH80TS65DGC11

RGTH80TS65DGC11

Solo per riferimento

Numero parte RGTH80TS65DGC11
PNEDA Part # RGTH80TS65DGC11
Descrizione IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGTH80TS65DGC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGTH80TS65DGC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGTH80TS65DGC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Potenza - Max234W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge79nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C34ns/120ns
Condizione di test400V, 40A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)58ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247N

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

114µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 [K]

IRGBC30U

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG4BC40W

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

110µJ (on), 230µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

98nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/100ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG7CH20K10EF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

490µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/95ns

Condizione di test

400V, 50A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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