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RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

Solo per riferimento

Numero parte RGT60TS65DGC11
PNEDA Part # RGT60TS65DGC11
Descrizione IGBT 650V 55A 194W TO-247N
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGT60TS65DGC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGT60TS65DGC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGT60TS65DGC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Potenza - Max194W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge58nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C29ns/100ns
Condizione di test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)58ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247N

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

160µJ (on), 200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/78ns

Condizione di test

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

NGTB15N120IHTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

HGTG10N120BND

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

850µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/165ns

Condizione di test

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

NGTB40N120S3WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

Potenza - Max

454W

Switching Energy

2.2mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

212nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/145ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

163ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

30W

Switching Energy

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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