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RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9

Solo per riferimento

Numero parte RGT50NS65DGC9
PNEDA Part # RGT50NS65DGC9
Descrizione IGBT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 14.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGT50NS65DGC9 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGT50NS65DGC9
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGT50NS65DGC9 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)48A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max194W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge49nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C27ns/88ns
Condizione di test400V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)58ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IXGX75N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

530A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Potenza - Max

780W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

410nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IXBH16N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 16A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

72nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.32µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXBH)

SKW15N120FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Potenza - Max

198W

Switching Energy

1.9mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/580ns

Condizione di test

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

65ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IRGP4055DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Potenza - Max

255W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

132nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/245ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

27ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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