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RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9

Solo per riferimento

Numero parte RGT50NS65DGC9
PNEDA Part # RGT50NS65DGC9
Descrizione IGBT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 14.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGT50NS65DGC9 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGT50NS65DGC9
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGT50NS65DGC9 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)48A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max194W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge49nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C27ns/88ns
Condizione di test400V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)58ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

24W

Switching Energy

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

Condizione di test

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/80ns

Condizione di test

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXYH)

IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

350µJ (on), 825µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/185ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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