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RGL41BHE3/97

RGL41BHE3/97

Solo per riferimento

Numero parte RGL41BHE3/97
PNEDA Part # RGL41BHE3-97
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGL41BHE3/97 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGL41BHE3/97
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RGL41BHE3/97, RGL41BHE3/97 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 79,46 KB)
PDFRGL41MHE3/96 Datasheet Copertura
RGL41MHE3/96 Datasheet Pagina 2 RGL41MHE3/96 Datasheet Pagina 3 RGL41MHE3/96 Datasheet Pagina 4

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RGL41BHE3/97 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

I prodotti a cui potresti essere interessato

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

10µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AA, R62

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

AS3PJ-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

37pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SK1045-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

500pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (HSMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

6A05G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R6, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

R-6

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N1189

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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