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RGL34DHE3/98

RGL34DHE3/98

Solo per riferimento

Numero parte RGL34DHE3/98
PNEDA Part # RGL34DHE3-98
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGL34DHE3/98 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGL34DHE3/98
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RGL34DHE3/98, RGL34DHE3/98 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 76,92 KB)
PDFRGL34JHE3/98 Datasheet Copertura
RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 2 RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 3 RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 4

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RGL34DHE3/98 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 500mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

700µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDTM

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

NRVBM120LT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

POWERMITE®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 10V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

VS-10ETF12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

310ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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