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RG3216N-5492-B-T1

RG3216N-5492-B-T1

Solo per riferimento

Numero parte RG3216N-5492-B-T1
PNEDA Part # RG3216N-5492-B-T1
Descrizione RES SMD 54.9K OHM 0.1% 1/4W 1206
Produttore Susumu
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RG3216N-5492-B-T1 Risorse

Brand Susumu
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRG3216N-5492-B-T1
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale
Datasheet
RG3216N-5492-B-T1, RG3216N-5492-B-T1 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 174,17 KB)
PDFRG3216P-9102-B-T1 Datasheet Copertura
RG3216P-9102-B-T1 Datasheet Pagina 2 RG3216P-9102-B-T1 Datasheet Pagina 3

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RG3216N-5492-B-T1 Specifiche

ProduttoreSusumu
SerieRG
Resistenza54.9 kOhms
Tolleranza±0.1%
Potenza (Watt)0.25W, 1/4W
ComposizioneThin Film
CaratteristicheAnti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Coefficiente di temperatura±10ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / Custodia1206 (3216 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore1206
Taglia / Dimensione0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Altezza - Seduto (Max)0.020" (0.50mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

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Produttore

Susumu

Serie

RG

Resistenza

430 Ohms

Tolleranza

±0.05%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±10ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.016" (0.40mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

45.3 Ohms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±15ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.024" (0.60mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

560 Ohms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

CSNL1206JT30L0

Stackpole Electronics

Produttore

Stackpole Electronics

Serie

CSNL

Resistenza

30 mOhms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Metal Foil

Caratteristiche

Current Sense, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 170°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.035" (0.90mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

CRCW20103K16FKEFHP

Vishay Dale

Produttore

Vishay Dale

Serie

CRCW-HP

Resistenza

3.16 kOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

2010 (5025 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

2010

Taglia / Dimensione

0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.028" (0.70mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

MC100LVEP14DTR2G

MC100LVEP14DTR2G

ON Semiconductor

IC CLK BUFFER 2:5 2.5GHZ 20TSSOP

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

EP1C20F324C7

EP1C20F324C7

Intel

IC FPGA 233 I/O 324FBGA

MB96F673ABPMC-GSE1

MB96F673ABPMC-GSE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 64LQFP

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

ALS70A243DF063

ALS70A243DF063

KEMET

CAP ALUM 24000UF 20% 63V SCREW

T530D337M006ATE010

T530D337M006ATE010

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

FQD3P50TM

FQD3P50TM

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

SD1127

SD1127

Microsemi

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM

SUCS62412C

SUCS62412C

Cosel

DC DC CONVERTER 12V