RFD12N06RLESM9A
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| Numero parte | RFD12N06RLESM9A |
| PNEDA Part # | RFD12N06RLESM9A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.222 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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RFD12N06RLESM9A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RFD12N06RLESM9A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RFD12N06RLESM9A, RFD12N06RLESM9A Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 868,48 KB)
  
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RFD12N06RLESM9A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 49W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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