R6006JND3TL1
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| Numero parte | R6006JND3TL1 |
| PNEDA Part # | R6006JND3TL1 |
| Descrizione | NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.406 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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R6006JND3TL1 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | R6006JND3TL1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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R6006JND3TL1 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 936mOhm @ 3A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 800µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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