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R1RW0416DSB-2PI#D0

R1RW0416DSB-2PI#D0

Solo per riferimento

Numero parte R1RW0416DSB-2PI#D0
PNEDA Part # R1RW0416DSB-2PI-D0
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1RW0416DSB-2PI#D0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1RW0416DSB-2PI#D0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1RW0416DSB-2PI#D0, R1RW0416DSB-2PI#D0 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 466,59 KB)
PDFR1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Copertura
R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 2 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 3 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 4 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 5 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 6 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 7 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 8 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 9 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 10 R1RW0416DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 11

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R1RW0416DSB-2PI#D0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (64K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP I

CY7C1470V33-200AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

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