R1LV3216RSD-7SI#B0
Solo per riferimento
| Numero parte | R1LV3216RSD-7SI#B0 |
| PNEDA Part # | R1LV3216RSD-7SI-B0 |
| Descrizione | IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.994 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
R1LV3216RSD-7SI#B0 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | R1LV3216RSD-7SI#B0 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
R1LV3216RSD-7SI#B0, R1LV3216RSD-7SI#B0 Datasheet
(Totale pagine: 20, Dimensioni: 143,86 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Datasheet
- where to find R1LV3216RSD-7SI#B0
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America R1LV3216RSD-7SI#B0
- R1LV3216RSD-7SI#B0 PDF Datasheet
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Stock
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Pinout
- Datasheet R1LV3216RSD-7SI#B0
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Price
- R1LV3216RSD-7SI#B0 Distributor
R1LV3216RSD-7SI#B0 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM |
| Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 52-TSOP II |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-µBGA (18.5x11) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 32Kb (4K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Maxim Integrated Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 34-PowerCap™ Module Pacchetto dispositivo fornitore 34-PowerCap Module |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (8x14) |
