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R1LV1616RSD-5SI#S0

R1LV1616RSD-5SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV1616RSD-5SI#S0
PNEDA Part # R1LV1616RSD-5SI-S0
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 52TSOP II
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 30 - ott 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV1616RSD-5SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV1616RSD-5SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV1616RSD-5SI#S0, R1LV1616RSD-5SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 132,28 KB)
PDFR1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV1616RSD-5SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore52-TSOP II

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R1WV6416RBG-5SI#B0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (8.5x11)

MT41J256M16HA-093G:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1066MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (9x14)

CY7C1470BV25-200BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

IS41LV16105C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - FP

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

EDFA232A2PD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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