Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

R1LV0108ESN-7SI#B0

R1LV0108ESN-7SI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV0108ESN-7SI#B0
PNEDA Part # R1LV0108ESN-7SI-B0
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.842
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata gen 9 - gen 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV0108ESN-7SI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV0108ESN-7SI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV0108ESN-7SI#B0, R1LV0108ESN-7SI#B0 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 190,73 KB)
PDFR1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Datasheet
  • where to find R1LV0108ESN-7SI#B0
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America R1LV0108ESN-7SI#B0
  • R1LV0108ESN-7SI#B0 PDF Datasheet
  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Stock

  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Pinout
  • Datasheet R1LV0108ESN-7SI#B0
  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Price
  • R1LV0108ESN-7SI#B0 Distributor

R1LV0108ESN-7SI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

RC28F640J3D75D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

75ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (10x13)

71342LA45J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

152-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

152-LBGA (14x18)

RM25C64DS-LSNI-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

64kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 2.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S29CD032J0PFFM010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-FBGA (13x11)

Venduto di recente

ISL21010CFH325Z-TK

ISL21010CFH325Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

ALS70A243DF063

ALS70A243DF063

KEMET

CAP ALUM 24000UF 20% 63V SCREW

W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

UDZVTE-177.5B

UDZVTE-177.5B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 200MW UMD2

MAX31785ETL+T

MAX31785ETL+T

Maxim Integrated

IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 40TQFN

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

ADF4350BCPZ-RL7

ADF4350BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220