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QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

Solo per riferimento

Numero parte QH8MA3TCR
PNEDA Part # QH8MA3TCR
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.780
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

QH8MA3TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteQH8MA3TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
QH8MA3TCR, QH8MA3TCR Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 4.241,03 KB)
PDFQH8MA3TCR Datasheet Copertura
QH8MA3TCR Datasheet Pagina 2 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 3 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 4 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 5 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 6 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 7 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 8 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 9 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 10 QH8MA3TCR Datasheet Pagina 11

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QH8MA3TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A, 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT8

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 20V

Potenza - Max

50W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI6544BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V

Potenza - Max

2.4W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC, 26.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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