QH8M22TCR
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| Numero parte | QH8M22TCR |
| PNEDA Part # | QH8M22TCR |
| Descrizione | QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.474 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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QH8M22TCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | QH8M22TCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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QH8M22TCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC, 9.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 193pF, 450pF @ 20V |
| Potenza - Max | 1.1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
