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PWR163S-25-4R00JE

PWR163S-25-4R00JE

Solo per riferimento

Numero parte PWR163S-25-4R00JE
PNEDA Part # PWR163S-25-4R00JE
Descrizione RES SMD 4 OHM 5% 25W DPAK
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.002
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PWR163S-25-4R00JE Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePWR163S-25-4R00JE
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale
Datasheet
PWR163S-25-4R00JE, PWR163S-25-4R00JE Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 381,42 KB)
PDFPWR163S-25-1R80F Datasheet Copertura
PWR163S-25-1R80F Datasheet Pagina 2 PWR163S-25-1R80F Datasheet Pagina 3

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PWR163S-25-4R00JE Specifiche

ProduttoreBourns
SeriePWR163
Resistenza4 Ohms
Tolleranza±5%
Potenza (Watt)25W
ComposizioneThick Film
CaratteristicheAutomotive AEC-Q200, Current Sense, Pulse Withstanding
Coefficiente di temperatura±100ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Taglia / Dimensione0.320" L x 0.324" W (8.13mm x 8.22mm)
Altezza - Seduto (Max)0.125" (3.17mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Bourns

Serie

PWR5322

Resistenza

510 mOhms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

3W

Composizione

Wirewound

Caratteristiche

Current Sense, Pulse Withstanding

Coefficiente di temperatura

±90ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

5322 J-Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

5322

Taglia / Dimensione

0.532" L x 0.217" W (13.50mm x 5.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.243" (6.16mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

MMP100JR-1R3

Yageo

Produttore

Yageo

Serie

MMP

Resistenza

1.3 Ohms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Metal Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

MELF, 0207

Pacchetto dispositivo fornitore

MELF

Taglia / Dimensione

0.087" Dia x 0.232" L (2.20mm x 5.90mm)

Altezza - Seduto (Max)

-

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

ERJ-PA2D60R4X

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

ERJ

Resistenza

604 kOhms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.2W, 1/5W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.016" (0.40mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

ERJ-PB6B6492V

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

ERJ

Resistenza

64.9 kOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.028" (0.70mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

38.3 kOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

BSS123

BSS123

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

SMAJ24A

SMAJ24A

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TVS DIODE 24V 38.9V DO214AC

SE5534AN

SE5534AN

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

IRFP150N

IRFP150N

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MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

FDMS8558S

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

CMS16(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT

GP2S40JJ000F

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PHOTOINTERRUPTER REFL 6.5MM PCB

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MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

HLMP-1503-C00A2

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