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PTFA070601EV4XWSA1

PTFA070601EV4XWSA1

Solo per riferimento

Numero parte PTFA070601EV4XWSA1
PNEDA Part # PTFA070601EV4XWSA1
Descrizione FET RF LDMOS 60W H36265-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PTFA070601EV4XWSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePTFA070601EV4XWSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
PTFA070601EV4XWSA1, PTFA070601EV4XWSA1 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 249,03 KB)
PDFPTFA070601FV4XWSA1 Datasheet Copertura
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PTFA070601EV4XWSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorLDMOS
Frequenza760MHz
Guadagno19.5dB
Tensione - Test28V
Corrente nominale (Amp)-
Figura di rumore-
Corrente - Test600mA
Potenza - Uscita60W
Tensione - Nominale65V
Pacchetto / CustodiaH-36265-2
Pacchetto dispositivo fornitoreH-36265-2

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5A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

150mA

Potenza - Uscita

15W

Tensione - Nominale

40V

Pacchetto / Custodia

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di transistor

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Frequenza

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Guadagno

11.5dB

Tensione - Test

7.5V

Corrente nominale (Amp)

5A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

150mA

Potenza - Uscita

8W

Tensione - Nominale

25V

Pacchetto / Custodia

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

pHEMT FET

Frequenza

3.5GHz

Guadagno

11.5dB

Tensione - Test

12V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

300mA

Potenza - Uscita

20W

Tensione - Nominale

15V

Pacchetto / Custodia

NI-360

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-360

MAGX-001214-500L00

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

HEMT

Frequenza

1.2GHz ~ 1.4GHz

Guadagno

19.22dB

Tensione - Test

50V

Corrente nominale (Amp)

18.1A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

400mA

Potenza - Uscita

500W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

PTFA260851F V1 R250

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.68GHz

Guadagno

14dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

900mA

Potenza - Uscita

85W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

2-Flatpack, Fin Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

H-31248-2

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