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PSMN6R5-30MLDX

PSMN6R5-30MLDX

Solo per riferimento

Numero parte PSMN6R5-30MLDX
PNEDA Part # PSMN6R5-30MLDX
Descrizione MOSFET N-CH 30V MLFP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN6R5-30MLDX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN6R5-30MLDX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN6R5-30MLDX, PSMN6R5-30MLDX Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 388,1 KB)
PDFPSMN6R5-30MLDX Datasheet Copertura
PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 2 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 3 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 4 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 5 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 6 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 7 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 8 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 9 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 10 PSMN6R5-30MLDX Datasheet Pagina 11

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PSMN6R5-30MLDX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.6nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds817pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)51W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK33
Pacchetto / CustodiaSOT-1210, 8-LFPAK33

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-5

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SIA425EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6

IRF7422D2TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ H6

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

82A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 41µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 74W (Tc)

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