PSMN3R9-25MLC,115
Solo per riferimento
| Numero parte | PSMN3R9-25MLC,115 |
| PNEDA Part # | PSMN3R9-25MLC-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.490 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PSMN3R9-25MLC Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | PSMN3R9-25MLC,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN3R9-25MLC, PSMN3R9-25MLC Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 1.116,26 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- PSMN3R9-25MLC,115 Datasheet
- where to find PSMN3R9-25MLC,115
- Nexperia
- Nexperia PSMN3R9-25MLC,115
- PSMN3R9-25MLC,115 PDF Datasheet
- PSMN3R9-25MLC,115 Stock
- PSMN3R9-25MLC,115 Pinout
- Datasheet PSMN3R9-25MLC,115
- PSMN3R9-25MLC,115 Supplier
- Nexperia Distributor
- PSMN3R9-25MLC,115 Price
- PSMN3R9-25MLC,115 Distributor
PSMN3R9-25MLC Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.15mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1524pF @ 12.5V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3360pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150W (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2570pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
