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PSMN3R5-40YSDX

PSMN3R5-40YSDX

Solo per riferimento

Numero parte PSMN3R5-40YSDX
PNEDA Part # PSMN3R5-40YSDX
Descrizione PSMN3R5-40YSD/SOT669/LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN3R5-40YSDX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN3R5-40YSDX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN3R5-40YSDX, PSMN3R5-40YSDX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 283,87 KB)
PDFPSMN3R5-40YSDX Datasheet Copertura
PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 2 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 3 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 4 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 5 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 6 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 7 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 8 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 9 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 10 PSMN3R5-40YSDX Datasheet Pagina 11

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PSMN3R5-40YSDX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3245pF @ 20V
Funzione FETSchottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)115W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PLUS-220SMD

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2620pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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-

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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