PSMN011-60MLX
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| Numero parte | PSMN011-60MLX |
| PNEDA Part # | PSMN011-60MLX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 32.910 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN011-60MLX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN011-60MLX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN011-60MLX, PSMN011-60MLX Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 761,87 KB)
  
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PSMN011-60MLX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2191pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 91W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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