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PSDC317E5630533NOSA1

PSDC317E5630533NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte PSDC317E5630533NOSA1
PNEDA Part # PSDC317E5630533NOSA1
Descrizione MOD IGBT STACK PSAO-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSDC317E5630533NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSDC317E5630533NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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PSDC317E5630533NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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FZ2400R17HP4B9HOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4800A

Potenza - Max

15500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF50A120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

BSM150GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2.8mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT35GT120JU2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

260W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.53nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

FP50R12KT4GB15BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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