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PMPB85ENEA/FX

PMPB85ENEA/FX

Solo per riferimento

Numero parte PMPB85ENEA/FX
PNEDA Part # PMPB85ENEA-FX
Descrizione MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.976
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMPB85ENEA/FX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMPB85ENEA/FX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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PMPB85ENEA/FX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds305pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-DFN2020MD (2x2)
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

166W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

C2M0080170P

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

C2M™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 28A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 1000V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

277W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

APT14F100B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

980mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3965pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

DMTH4004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4305pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.7W (Ta), 136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFU020PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Venduto di recente

MC33275ST-3.0T3G

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ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 300MA SOT223

ISL68137IRAZ-T7A

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR PMBUS 48QFN

219-2MSTR

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CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

XC6SLX9-2TQG144C

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Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

ADP7182AUJZ-5.0-R7

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Analog Devices

IC REG LINEAR -5V 200MA 5TSOT

PDS1040-13

PDS1040-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

LT8609SEV#PBF

LT8609SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

MF-NSMF075-2

MF-NSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 6V 750MA 1206

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

MAX912ESE+

MAX912ESE+

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IC COMPARATOR LP 16-SOIC

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FTDI, Future Technology Devices International Ltd

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