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PMH1200UPEH

PMH1200UPEH

Solo per riferimento

Numero parte PMH1200UPEH
PNEDA Part # PMH1200UPEH
Descrizione PMH1200UPE/SOT8001/DFN0606-3
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 195.156
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PMH1200UPEH Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMH1200UPEH
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMH1200UPEH, PMH1200UPEH Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 270,38 KB)
PDFPMH1200UPEH Datasheet Copertura
PMH1200UPEH Datasheet Pagina 2 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 3 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 4 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 5 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 6 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 7 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 8 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 9 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 10 PMH1200UPEH Datasheet Pagina 11

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PMH1200UPEH Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C520mA
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id0.95V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN0606-3 (SOT8001)
Pacchetto / Custodia3-XFDFN

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BSH205G2VL

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

418pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

480mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

R6020JNZC8

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 3.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 15V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

76W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

BUK9E06-55A,127

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPA70R450P7SXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 400V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

424pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

22.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SI1471DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

445pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Venduto di recente

3-1462039-1

3-1462039-1

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 12VDC

IPA60R360P7SXKSA1

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Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

SMBJ5.0CA-13-F

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Diodes Incorporated

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2744045447

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STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A TO220

SF-1206F700-2

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Bourns

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S3A-13-F

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CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 1206