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PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX

Solo per riferimento

Numero parte PMGD290UCEAX
PNEDA Part # PMGD290UCEAX
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMGD290UCEAX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMGD290UCEAX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMGD290UCEAX, PMGD290UCEAX Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 782,58 KB)
PDFPMGD290UCEAX Datasheet Copertura
PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 2 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 3 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 4 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 5 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 6 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 7 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 8 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 9 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 10 PMGD290UCEAX Datasheet Pagina 11

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PMGD290UCEAX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C725mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
Potenza - Max280mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 28µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-10

SC8673010L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

HSO8-F3-B

DMPH6050SSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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