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PMDPB55XP,115

PMDPB55XP,115

Solo per riferimento

Numero parte PMDPB55XP,115
PNEDA Part # PMDPB55XP-115
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDPB55XP Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDPB55XP,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDPB55XP, PMDPB55XP Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 1.627,66 KB)
PDFPMDPB55XP Datasheet Copertura
PMDPB55XP Datasheet Pagina 2 PMDPB55XP Datasheet Pagina 3 PMDPB55XP Datasheet Pagina 4 PMDPB55XP Datasheet Pagina 5 PMDPB55XP Datasheet Pagina 6 PMDPB55XP Datasheet Pagina 7 PMDPB55XP Datasheet Pagina 8 PMDPB55XP Datasheet Pagina 9 PMDPB55XP Datasheet Pagina 10 PMDPB55XP Datasheet Pagina 11

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PMDPB55XP Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds785pF @ 10V
Potenza - Max490mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON-EP (2x2)

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IRF7379PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

STS5DPF20L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 16V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.56nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V

Potenza - Max

1.17W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

VEC2315-TL-W

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 20V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

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