PMCM650CUNEZ
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| Numero parte | PMCM650CUNEZ |
| PNEDA Part # | PMCM650CUNEZ |
| Descrizione | PMCM650CUNE NAX000 NONE |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMCM650CUNEZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMCM650CUNEZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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PMCM650CUNEZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 556mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-XFBGA, WLCSP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WLCSP (1.48x0.98) |
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Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSOP-6-6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V Potenza - Max 1.19W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 15V Potenza - Max 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 12-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore V-DFN5045-12 |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4V Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
