PHP33NQ20T,127
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| Numero parte | PHP33NQ20T,127 |
| PNEDA Part # | PHP33NQ20T-127 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.540 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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PHP33NQ20T Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PHP33NQ20T,127 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PHP33NQ20T Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32.7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3520pF @ 13V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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