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PHN210T,118

PHN210T,118

Solo per riferimento

Numero parte PHN210T,118
PNEDA Part # PHN210T-118
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.122
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PHN210T Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePHN210T,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PHN210T, PHN210T Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 433,02 KB)
PDFPHN210T Datasheet Copertura
PHN210T Datasheet Pagina 2 PHN210T Datasheet Pagina 3 PHN210T Datasheet Pagina 4 PHN210T Datasheet Pagina 5 PHN210T Datasheet Pagina 6 PHN210T Datasheet Pagina 7 PHN210T Datasheet Pagina 8 PHN210T Datasheet Pagina 9 PHN210T Datasheet Pagina 10 PHN210T Datasheet Pagina 11

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PHN210T Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 20V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

43A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FDS3812

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

634pF @ 40V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NVMFD5853NWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

322nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 1000V

Potenza - Max

625W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

FDS6993

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

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