PDTC114ET/DG/B2,21
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| Numero parte | PDTC114ET/DG/B2,21 |
| PNEDA Part # | PDTC114ET-DG-B2-21 |
| Descrizione | TRANS RET TO-236AB |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.858 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTC114ET/DG/B2 Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTC114ET/DG/B2,21 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
PDTC114ET/DG/B2, PDTC114ET/DG/B2 Datasheet
(Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.327,29 KB)
  
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PDTC114ET/DG/B2 Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 10 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1µA |
| Frequenza - Transizione | 230MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 150MHz Potenza - Max 125mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-89, SOT-490 Pacchetto dispositivo fornitore SSMini3-F3 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 100MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SMT3; MPAK |
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