PDTB113ES,126
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| Numero parte | PDTB113ES,126 |
| PNEDA Part # | PDTB113ES-126 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.556 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTB113ES Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTB113ES,126 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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PDTB113ES Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 1 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 80MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore SSSMini3-F1 |
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