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PDTA144TT,215

PDTA144TT,215

Solo per riferimento

Numero parte PDTA144TT,215
PNEDA Part # PDTA144TT-215
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTA144TT Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTA144TT,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTA144TT, PDTA144TT Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 396,87 KB)
PDFPDTA144TS Datasheet Copertura
PDTA144TS Datasheet Pagina 2 PDTA144TS Datasheet Pagina 3 PDTA144TS Datasheet Pagina 4 PDTA144TS Datasheet Pagina 5 PDTA144TS Datasheet Pagina 6 PDTA144TS Datasheet Pagina 7 PDTA144TS Datasheet Pagina 8 PDTA144TS Datasheet Pagina 9 PDTA144TS Datasheet Pagina 10 PDTA144TS Datasheet Pagina 11

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PDTA144TT Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

DTC114EUBHZGTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased + Diode

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3F

RN2101,LF(CT

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

DTB143ECHZGT116

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased + Diode

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

RN2403,LF

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Serie

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

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