PDTA114YQAZ
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| Numero parte | PDTA114YQAZ |
| PNEDA Part # | PDTA114YQAZ |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 3DFN |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTA114YQAZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTA114YQAZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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PDTA114YQAZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1µA |
| Frequenza - Transizione | 180MHz |
| Potenza - Max | 280mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-XDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VESM |
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN - Pre-Biased + Diode Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VMT3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
