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PD85035-E

PD85035-E

Solo per riferimento

Numero parte PD85035-E
PNEDA Part # PD85035-E
Descrizione FET RF 40V 870MHZ
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PD85035-E Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePD85035-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
PD85035-E, PD85035-E Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 339,15 KB)
PDFPD85035S-E Datasheet Copertura
PD85035S-E Datasheet Pagina 2 PD85035S-E Datasheet Pagina 3 PD85035S-E Datasheet Pagina 4 PD85035S-E Datasheet Pagina 5 PD85035S-E Datasheet Pagina 6 PD85035S-E Datasheet Pagina 7 PD85035S-E Datasheet Pagina 8 PD85035S-E Datasheet Pagina 9 PD85035S-E Datasheet Pagina 10 PD85035S-E Datasheet Pagina 11

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PD85035-E Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di transistorLDMOS
Frequenza870MHz
Guadagno17dB
Tensione - Test13.6V
Corrente nominale (Amp)8A
Figura di rumore-
Corrente - Test350mA
Potenza - Uscita15W
Tensione - Nominale40V
Pacchetto / CustodiaPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitorePowerSO-10RF (Formed Lead)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS (Dual)

Frequenza

960MHz ~ 1.22GHz

Guadagno

19.6dB

Tensione - Test

50V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

100mA

Potenza - Uscita

1000W

Tensione - Nominale

112V

Pacchetto / Custodia

NI-1230-4S GW

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-1230-4S GULL

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.14GHz

Guadagno

19.1dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

1.2A

Potenza - Uscita

50W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

NI-780GS-2

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-780GS-2

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

N-Channel Dual Gate

Frequenza

800MHz

Guadagno

-

Tensione - Test

5V

Corrente nominale (Amp)

40mA

Figura di rumore

2dB

Corrente - Test

15mA

Potenza - Uscita

-

Tensione - Nominale

7V

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143R

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.17GHz

Guadagno

17.3dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

1.1A

Potenza - Uscita

33W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

NI-780S

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-780S

2SK3475TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

N-Channel

Frequenza

520MHz

Guadagno

14.9dB

Tensione - Test

7.2V

Corrente nominale (Amp)

1A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

50mA

Potenza - Uscita

630mW

Tensione - Nominale

20V

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-62

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