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PBLS4001Y,115

PBLS4001Y,115

Solo per riferimento

Numero parte PBLS4001Y,115
PNEDA Part # PBLS4001Y-115
Descrizione TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PBLS4001Y Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePBLS4001Y,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
PBLS4001Y, PBLS4001Y Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 444,94 KB)
PDFPBLS4001V Datasheet Copertura
PBLS4001V Datasheet Pagina 2 PBLS4001V Datasheet Pagina 3 PBLS4001V Datasheet Pagina 4 PBLS4001V Datasheet Pagina 5 PBLS4001V Datasheet Pagina 6 PBLS4001V Datasheet Pagina 7 PBLS4001V Datasheet Pagina 8 PBLS4001V Datasheet Pagina 9 PBLS4001V Datasheet Pagina 10 PBLS4001V Datasheet Pagina 11

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PBLS4001Y Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistor1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA, 500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V, 40V
Resistenza - Base (R1)2.2kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)2.2kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione300MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms, 4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms, 10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-553

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-553

DMG264050R

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

470Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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